Datasheet下载- 型号： BF 999 E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF 999 E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF 999 E6327价格参考。InfineonBF 999 E6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF 999 E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF 999 E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23射频MOSFET晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 0.03 A |
| Id-连续漏极电流 | 0.03 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Infineon Technologies BF 999 E6327- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bf999.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114936599851041&fileId=db3a30431441fb5d0114936ed6171043 |
| 产品型号 | BF 999 E6327 |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6.5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 6.5 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BF999E6327BTSA1 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 噪声系数 | 2.1dB |
| 增益 | 27dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 0.03 A |
| 电压-测试 | 10V |
| 电压-额定 | 20V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 系列 | BF999 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 6.5 V |
| 零件号别名 | BF999E6327HTSA1 SP000010985 |
| 频率 | 45MHz |
| 额定电流 | 30mA |
-40DP-0.4V(53).jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
